effetto Hall

effetto Hall

Creazione di un campo elettrico in un cristallo percorso da corrente in presenza di un campo magnetico esterno costante e uniforme, perpendicolare alla direzione della corrente. Tale campo elettrico è ortogonale sia alla direzione della corrente che a quella del campo magnetico e il suo verso dipende dal segno dei portatori di carica (per es., elettroni o buche in un semiconduttore). Il coefficiente di Hall è dato dal rapporto R_Η=E_ψ/(J_ξB_ζ), ove E_ψ è il campo elettrico ­lungo y, J_ξ la densità di corrente lungo x e B_ζ il campo magnetico lungo z. Si ha R_Η=1/(nqc), dove n è la densità dei portatori, q la loro carica e c la velocità della luce (si è assunta la presenza di un solo tipo di portatori). La misura del coefficiente di Hall è importante al fine di determinare la densità e il segno dei portatori.

→ Semiconduttori; Silicio